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IPD70R900P7SAUMA1

IPD70R900P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd70r900p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD70R900P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd70r900p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd70r900p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD70R900P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8102e90d98 Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
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IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD70R900P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362530.pdf MOSFETs CONSUMER
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IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD70R900P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8102e90d98 Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
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IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002815967-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002815967-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd70r900p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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