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IPD78CN10NGATMA1

IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies

infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.46 EUR
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Technische Details IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+0.46 EUR
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IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2585000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.6 EUR
1295000+0.54 EUR
1942500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP80CN10N_DS_v01_91_en-1731930.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+1 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon info-tipd78cn10n.pdf N-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ IDP78CN10NG TO252-3 TIPD78cn10n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 INFINEON Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
192+1.21 EUR
236+0.9 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
192+1.21 EUR
236+0.9 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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auf Bestellung 3510 Stücke:
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98+1.78 EUR
162+1.05 EUR
229+0.7 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.8 EUR
160+1.07 EUR
228+0.74 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
auf Bestellung 10918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.46 EUR
5000+0.45 EUR
7500+0.44 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1
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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.54 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.58 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2585000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.6 EUR
1295000+0.54 EUR
1942500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.01 EUR
10+1 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD78CN10NGATMA1 info-tipd78cn10n.pdf
IPD78CN10NGATMA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ IDP78CN10NG TO252-3 TIPD78cn10n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD78CN10NGATMA1 Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d
IPD78CN10NGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
192+1.21 EUR
236+0.9 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1 Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d
IPD78CN10NGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
192+1.21 EUR
236+0.9 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+1.78 EUR
162+1.05 EUR
229+0.7 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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98+1.8 EUR
160+1.07 EUR
228+0.74 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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IPD78CN10NGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
auf Bestellung 10918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
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auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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