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IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipx80r1k0ce-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.9 EUR
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Technische Details IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies infineon-ipx80r1k0ce-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
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2500+1 EUR
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IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
124+1.73 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPX80R1K0CE_DataSheet_v02_03_EN-3362752.pdf MOSFETs N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
auf Bestellung 2380 Stücke:
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2+3 EUR
10+2.14 EUR
100+1.56 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
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IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
auf Bestellung 4244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.33 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
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IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 711 Stücke:
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60+4.2 EUR
117+1.99 EUR
150+1.43 EUR
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IPD80R1K0CEATMA1 infineon-ipx80r1k0ce-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R1K0CEATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.9 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
IPD80R1K0CEATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1 EUR
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IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
IPD80R1K0CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 921 Stücke:
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124+1.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD80R1K0CEATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3 EUR
10+2.14 EUR
100+1.56 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
2500+1.06 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
IPD80R1K0CEATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
auf Bestellung 4244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.64 EUR
10+2.33 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K0CEATMA1 INFN-S-A0010753999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80R1K0CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.2 EUR
117+1.99 EUR
150+1.43 EUR
500+1.24 EUR
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