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IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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105+1.64 EUR
139+1.2 EUR
200+1.12 EUR
500+0.94 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003370821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 910 Stücke:
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95+2.65 EUR
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IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003370821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 910 Stücke:
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100+2.65 EUR
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IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1751 Stücke:
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7+3.28 EUR
11+2.08 EUR
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IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD80R1K2P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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10+2.32 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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auf Bestellung 2500 Stücke:
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708+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
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105+1.64 EUR
139+1.2 EUR
200+1.12 EUR
500+0.94 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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120+1.94 EUR
171+1.25 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IPD80R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD80R1K2P7ATMA1
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Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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7+3.28 EUR
11+2.08 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MOSFETs LOW POWER_NEW
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10+2.32 EUR
100+1.52 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.8 EUR
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