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IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+0.64 EUR
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Technische Details IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.68 EUR
5000+0.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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214+0.81 EUR
216+0.8 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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4+0.84 EUR
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2500+0.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0004583431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
180+1.29 EUR
221+0.98 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0004583431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
180+1.29 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
auf Bestellung 15209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 38 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.64 EUR
5000+0.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
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5000+0.62 EUR
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IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
214+0.81 EUR
216+0.8 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 3344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4+0.84 EUR
10+0.77 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.59 EUR
180+1.29 EUR
221+0.98 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4P7ATMA1 INFN-S-A0004583431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.59 EUR
180+1.29 EUR
221+0.98 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5
IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
auf Bestellung 15209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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