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IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPD80R2K0P7ATMA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 3.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r2k0p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+0.75 EUR
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IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r2k0p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2502 Stücke:
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156+1.12 EUR
170+1.01 EUR
216+0.79 EUR
223+0.74 EUR
500+0.68 EUR
2500+0.67 EUR
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IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD80R2K0P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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10+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.61 EUR
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IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
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8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
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IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a Description: INFINEON - IPD80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.18 EUR
126+1.84 EUR
191+1.13 EUR
500+0.88 EUR
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IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a Description: INFINEON - IPD80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2502 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
156+1.12 EUR
170+1.01 EUR
216+0.79 EUR
223+0.74 EUR
500+0.68 EUR
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MOSFETs LOW POWER_NEW
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10+1.59 EUR
100+1.06 EUR
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5000+0.61 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
auf Bestellung 2567 Stücke:
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IPD80R2K0P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1400 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
79+3.18 EUR
126+1.84 EUR
191+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a
IPD80R2K0P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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AnzahlPrivatkunde
100+3.18 EUR
126+1.84 EUR
191+1.13 EUR
500+0.88 EUR
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