IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1062+ | 0.52 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD80R2K4P7ATMA1 nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V |
auf Bestellung 2583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| IPD80R2K4P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD80R2K4P7 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |