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IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies

infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
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IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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134+1.29 EUR
191+0.88 EUR
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IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON 2327421.pdf Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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106+2.38 EUR
142+1.64 EUR
212+1.01 EUR
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1000+0.74 EUR
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IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1357 Stücke:
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101+2.49 EUR
146+1.59 EUR
217+0.99 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
auf Bestellung 4750 Stücke:
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9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD80R2K4P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 9180 Stücke:
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2+2.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.69 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.52 EUR
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IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.54 EUR
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IPD80R2K4P7ATMA1 infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.67 EUR
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Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
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2500+0.67 EUR
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IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
929+0.7 EUR
1008+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 929 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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929+0.7 EUR
1008+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 929 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD80R2K4P7ATMA1 infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+1.4 EUR
146+1.18 EUR
177+0.95 EUR
200+0.88 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
94+1.87 EUR
135+1.25 EUR
192+0.84 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+1.88 EUR
134+1.29 EUR
191+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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IPD80R2K4P7ATMA1 2327421.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1152 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
106+2.38 EUR
142+1.64 EUR
212+1.01 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
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IPD80R2K4P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
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