IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD80R2K7C3AATMA1 nach Preis ab 0.99 EUR bis 2.73 EUR
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IPD80R2K7C3AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE |
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IPD80R2K7C3AATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPD80R2K7C3AATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IPD80R2K7C3AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
800V Cool Mos CE Power Transistor |
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IPD80R2K7C3AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD80R2K7C3AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD80R2K7C3AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
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IPD80R2K7C3AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
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