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IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
337+0.51 EUR
362+0.46 EUR
363+0.45 EUR
500+0.44 EUR
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Technische Details IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 18W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
336+0.52 EUR
337+0.5 EUR
338+0.48 EUR
362+0.43 EUR
363+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
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IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
299+0.58 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
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IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 6408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+1.15 EUR
100+0.87 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
auf Bestellung 4993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 INFINEON 2327423.pdf Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
174+1.34 EUR
256+0.83 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 INFINEON 2327423.pdf Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
174+1.34 EUR
256+0.83 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
336+0.52 EUR
337+0.5 EUR
338+0.48 EUR
362+0.43 EUR
363+0.42 EUR
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auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
299+0.58 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
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auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD80R3K3P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.62 EUR
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MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerDevice
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10+1.15 EUR
100+0.87 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPD80R3K3P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
auf Bestellung 4993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IPD80R3K3P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 2219 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
88+2.84 EUR
174+1.34 EUR
256+0.83 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R3K3P7ATMA1 2327423.pdf
IPD80R3K3P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 2219 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.84 EUR
174+1.34 EUR
256+0.83 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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