IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 336+ | 0.44 EUR |
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Technische Details IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD80R3K3P7ATMA1 nach Preis ab 0.33 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerDevice |
auf Bestellung 6408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V |
auf Bestellung 4993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| IPD80R3K3P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD80R3K3P7 SMD N channel transistors |
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