Technische Details IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD80R4K5P7ATMA1 nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 4054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.46 EUR |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 340+ | 0.51 EUR |
| 357+ | 0.48 EUR |
| 358+ | 0.45 EUR |
| 375+ | 0.42 EUR |
| 376+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 315+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.56 EUR |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.75 EUR |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.74 EUR |
| 10+ | 1.23 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| 2500+ | 0.6 EUR |
| 5000+ | 0.51 EUR |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 2.21 EUR |
| 171+ | 1.36 EUR |
| 250+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 2.21 EUR |
| 171+ | 1.36 EUR |
| 250+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |