IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 88W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.
Weitere Produktangebote IPD85P04P4L06ATMA2 nach Preis ab 0.93 EUR bis 4.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPD85P04P4L06ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 3830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD85P04P4L06ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD85P04P4L06ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
auf Bestellung 956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IPD85P04P4L06ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
auf Bestellung 956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD85P04P4L06ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.89 EUR |
| 10+ | 2.06 EUR |
| 100+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| 2500+ | 0.95 EUR |
| 5000+ | 0.93 EUR |
| IPD85P04P4L06ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
auf Bestellung 8257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.07 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 1.79 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| IPD85P04P4L06ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 85A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPD85P04P4L06ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 956 Stücke:
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