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IPD90N03S4L02ATMA1

IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 52500 Stücke:
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Technische Details IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD90N03S4L02ATMA1 nach Preis ab 1.07 EUR bis 3.63 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd90n03s4l-02_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd90n03s4l-02_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+2.28 EUR
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IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD90N03S4L_02_DS_v03_00_en-1731746.pdf MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 2585 Stücke:
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2+2.64 EUR
10+1.78 EUR
100+1.26 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 53371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.63 EUR
10+2.14 EUR
100+1.52 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd90n03s4l-02_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 73 Stücke:
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18880 Stücke:
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IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd90n03s4l-02_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA554F49B58E143&compId=IPD90N03S4L02.pdf?ci_sign=acd316fd8741a95f752806ce832d01a4fa19919a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA554F49B58E143&compId=IPD90N03S4L02.pdf?ci_sign=acd316fd8741a95f752806ce832d01a4fa19919a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Produkt ist nicht verfügbar
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