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IPD90N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPD90N03S4L03ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 135508-4
Price: 3.72 EUR
Availability: InStock

Infineon_IPD90N03S4L_03_DS_v02_01_en-1731862.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Technische Details IPD90N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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