Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S403ATMA1
IPD90N04S403ATMA1

IPD90N04S403ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 90A; Idm: 90A; 94W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Gate charge: 66.8nC
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD90N04S403ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPD90N04S403ATMA1 nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.86 EUR
206+0.83 EUR
215+0.79 EUR
250+0.76 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.87 EUR
204+0.82 EUR
206+0.79 EUR
215+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.99 EUR
181+0.93 EUR
183+0.88 EUR
185+0.84 EUR
196+0.76 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+1 EUR
180+0.95 EUR
182+0.93 EUR
184+0.89 EUR
194+0.83 EUR
250+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+1.37 EUR
530+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+1.37 EUR
530+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
101+2.31 EUR
149+1.44 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
101+2.31 EUR
149+1.44 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 17999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.43 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
204+0.86 EUR
206+0.83 EUR
215+0.79 EUR
250+0.76 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
201+0.87 EUR
204+0.82 EUR
206+0.79 EUR
215+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
177+0.99 EUR
181+0.93 EUR
183+0.88 EUR
185+0.84 EUR
196+0.76 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
176+1 EUR
180+0.95 EUR
182+0.93 EUR
184+0.89 EUR
194+0.83 EUR
250+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
477+1.37 EUR
530+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
477+1.37 EUR
530+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+3.38 EUR
101+2.31 EUR
149+1.44 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.38 EUR
101+2.31 EUR
149+1.44 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 17999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.88 EUR
10+2.43 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH