Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S405ATMA1
IPD90N04S405ATMA1

IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies


IPD90N04S4-05_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca8f57f5e9a Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.63 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IPD90N04S405ATMA1 nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD90N04S4_05_DS_v01_00_en-1731747.pdf MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 4908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.54 EUR
10+1.20 EUR
25+1.11 EUR
100+0.90 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd90n04s4-05_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
88+1.70 EUR
96+1.49 EUR
108+1.28 EUR
200+1.15 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPD90N04S4-05_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca8f57f5e9a Description: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.34 EUR
12+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS15028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS15028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd90n04s4-05_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAEC1DA6D7B820&compId=IPD90N04S405.pdf?ci_sign=e5fc15d5072846873debc1d1932ae19d845a375d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 18nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 344A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAEC1DA6D7B820&compId=IPD90N04S405.pdf?ci_sign=e5fc15d5072846873debc1d1932ae19d845a375d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 18nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 344A
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH