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IPD90N06S4L03ATMA2

IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies

infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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auf Bestellung 670 Stücke:
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IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+1.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD90N06S4L_03_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
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1+4.14 EUR
10+2.64 EUR
100+2.07 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.5 EUR
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IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.12 EUR
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IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 15049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6 EUR
60+3.88 EUR
100+2.44 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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IPD90N06S4L03ATMA2
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.4 EUR
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IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2500+1.42 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
10000+1.64 EUR
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IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.44 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon_IPD90N06S4L_03_DS_v01_00_en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.14 EUR
10+2.64 EUR
100+2.07 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.5 EUR
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IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.82 EUR
10+3.12 EUR
100+2.14 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD90N06S4L03ATMA2 INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 15049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6 EUR
60+3.88 EUR
100+2.44 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 77 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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