Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S4L03ATMA2
IPD90N06S4L03ATMA2

IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies

infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Weitere Produktangebote IPD90N06S4L03ATMA2 nach Preis ab 1.39 EUR bis 6.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
10000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 15049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.89 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD90N06S4L_03_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.14 EUR
100+2.76 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.15 EUR
2500+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 15049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
55+4.22 EUR
100+2.89 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.37 EUR
10+4.14 EUR
50+3.18 EUR
100+2.87 EUR
500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
10000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 15049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.89 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon_IPD90N06S4L_03_DS_v01_00_en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.14 EUR
10+3.14 EUR
100+2.76 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.15 EUR
2500+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 15049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.15 EUR
55+4.22 EUR
100+2.89 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.37 EUR
10+4.14 EUR
50+3.18 EUR
100+2.87 EUR
500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH