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IPD90N06S4L06ATMA2

IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies

infineonipd90n06s4l06dsv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD90N06S4L06ATMA2 IPD90N06S4L06ATMA2 INFINEON INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD90N06S4L06ATMA2
Hersteller: INFINEON
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IPD90N06S4L06ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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