IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm.
Weitere Produktangebote IPD90N06S4L06ATMA2 nach Preis ab 0.99 EUR bis 4.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD90N06S4L06ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N06S4L06ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N06S4L06ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N06S4L06ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET |
auf Bestellung 4597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90N06S4L06ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90N06S4L06ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IPD90N06S4L06ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm |
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD90N06S4L06ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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| 2500+ | 0.99 EUR |
| IPD90N06S4L06ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.08 EUR |
| IPD90N06S4L06ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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| IPD90N06S4L06ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 4.11 EUR |
| 10+ | 2.05 EUR |
| 100+ | 1.76 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| 2500+ | 1.19 EUR |
| 5000+ | 1.13 EUR |
| IPD90N06S4L06ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4.11 EUR |
| 10+ | 2.63 EUR |
| 50+ | 1.99 EUR |
| 100+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| IPD90N06S4L06ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS-T2
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPD90N06S4L06ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)