Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1

IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD95R2K0P7ATMA1 nach Preis ab 0.56 EUR bis 3.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.84 EUR
5000+0.79 EUR
7500+0.75 EUR
12500+0.71 EUR
17500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD95R2K0P7_DataSheet_v02_03_EN-3362790.pdf MOSFETs N
auf Bestellung 42067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.84 EUR
100+1.44 EUR
500+1.23 EUR
1000+1 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.53 EUR
107+1.58 EUR
108+1.5 EUR
109+1.43 EUR
143+1.05 EUR
257+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.56 EUR
106+1.63 EUR
107+1.57 EUR
108+1.52 EUR
142+1.14 EUR
255+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON 2643877.pdf Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
123+1.89 EUR
170+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON 2643877.pdf Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
123+1.89 EUR
170+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
auf Bestellung 107082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.84 EUR
5000+0.79 EUR
7500+0.75 EUR
12500+0.71 EUR
17500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon_IPD95R2K0P7_DataSheet_v02_03_EN-3362790.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
auf Bestellung 42067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.26 EUR
10+1.84 EUR
100+1.44 EUR
500+1.23 EUR
1000+1 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+2.53 EUR
107+1.58 EUR
108+1.5 EUR
109+1.43 EUR
143+1.05 EUR
257+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+2.56 EUR
106+1.63 EUR
107+1.57 EUR
108+1.52 EUR
142+1.14 EUR
255+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 2643877.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+3.05 EUR
123+1.89 EUR
170+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 2643877.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.05 EUR
123+1.89 EUR
170+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
auf Bestellung 107082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH