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IPD95R450P7ATMA1

IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD95R450P7ATMA1 nach Preis ab 1.56 EUR bis 5.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.69 EUR
5000+1.58 EUR
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IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON 2643878.pdf Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20098 Stücke:
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100+2.46 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.86 EUR
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IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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246+2.65 EUR
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IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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60+2.94 EUR
100+2.76 EUR
250+2.59 EUR
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2500+2.23 EUR
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IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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54+3.2 EUR
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IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
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IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON 2643878.pdf Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: CoolMOS P7
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AnzahlPrivatkunde
60+2.94 EUR
100+2.76 EUR
250+2.59 EUR
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2500+2.23 EUR
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auf Bestellung 263 Stücke:
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54+3.2 EUR
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IPD95R450P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
auf Bestellung 5483 Stücke:
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MOSFETs LOW POWER_NEW
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10+3.33 EUR
100+2.31 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.76 EUR
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IPD95R450P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
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Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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62+3.78 EUR
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