auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 4.31 EUR |
10+ | 3.59 EUR |
100+ | 2.85 EUR |
250+ | 2.64 EUR |
500+ | 2.39 EUR |
1000+ | 2.16 EUR |
2500+ | 1.88 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD95R450PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 13.3 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, Dauer-Drainstrom Id: 13.3A, hazardous: true, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPD95R450PFD7ATMA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
IPD95R450PFD7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD95R450PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 13.3 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 13.3A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
IPD95R450PFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |