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Technische Details IPDD60R190G7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Gold, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPDD60R190G7XTMA1 nach Preis ab 3.45 EUR bis 5.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IPDD60R190G7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V |
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IPDD60R190G7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Gold productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPDD60R190G7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Gold productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDD60R190G7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPDD60R190G7XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ G7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 76W Case: PG-HDSOP-10-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPDD60R190G7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V |
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| IPDD60R190G7XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ G7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 76W Case: PG-HDSOP-10-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |