IPDQ60R007CM8XTMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 34.11 EUR |
| 10+ | 27.91 EUR |
| 100+ | 24.66 EUR |
| 750+ | 24.64 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPDQ60R007CM8XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 288A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.249kW, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPDQ60R007CM8XTMA1 nach Preis ab 28.45 EUR bis 38.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V |
auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 288A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.249kW Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 288A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.249kW Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 288A 22-Pin HDSOP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 288A 22-Pin HDSOP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |