IPDQ60R007CM8XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V
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Technische Details IPDQ60R007CM8XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 288A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 1.249kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.
Weitere Produktangebote IPDQ60R007CM8XTMA1 nach Preis ab 20.66 EUR bis 38.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPDQ60R007CM8XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V |
auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPDQ60R007CM8XTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 2072 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPDQ60R007CM8XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 288A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 1.249kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IPDQ60R007CM8XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 288A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 1.249kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPDQ60R007CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Transistors - Unclassified Description: IPDQ60R007CM8XTMA1 |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDQ60R007CM8XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V
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| 1+ | 29.87 EUR |
| 10+ | 21.39 EUR |
| 100+ | 20.66 EUR |
| IPDQ60R007CM8XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 38.61 EUR |
| 10+ | 27.95 EUR |
| 100+ | 26.21 EUR |
| 500+ | 25.68 EUR |
| 750+ | 24.46 EUR |
| IPDQ60R007CM8XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 1.249kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 1.249kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPDQ60R007CM8XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 1.249kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 1.249kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 359 Stücke:
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| IPDQ60R007CM8XTMA1 |
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Category: Transistors - Unclassified
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 750+ | 23.7 EUR |