IPDQ60R015CFD7XTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 657W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 30.84 EUR |
| 50+ | 27.89 EUR |
| 100+ | 25.89 EUR |
| 250+ | 25.38 EUR |
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Technische Details IPDQ60R015CFD7XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 657W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Weitere Produktangebote IPDQ60R015CFD7XTMA1 nach Preis ab 24.42 EUR bis 42.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPDQ60R015CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPDQ60R015CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 657W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDQ60R015CFD7XTMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 34.5 EUR |
| 10+ | 27.48 EUR |
| 100+ | 25.22 EUR |
| 500+ | 24.42 EUR |
| IPDQ60R015CFD7XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 42.19 EUR |
| 7+ | 38.45 EUR |
| 10+ | 30.84 EUR |
| 50+ | 27.89 EUR |
| 100+ | 25.89 EUR |
| 250+ | 25.38 EUR |