| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.09 EUR |
| 10+ | 18.58 EUR |
| 25+ | 18.08 EUR |
| 50+ | 17.06 EUR |
| 100+ | 16.06 EUR |
| 250+ | 15.57 EUR |
| 500+ | 14.58 EUR |
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Technische Details IPDQ60R022S7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.02 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 416W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Weitere Produktangebote IPDQ60R022S7XTMA1 nach Preis ab 15.02 EUR bis 27.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPDQ60R022S7XTMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPDQ60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.02 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 416W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ60R022S7XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V |
auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDQ60R022S7XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.02 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
isCanonical: N
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Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IPDQ60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.02 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 23.79 EUR |
| 13+ | 17.24 EUR |
| 50+ | 15.64 EUR |
| 100+ | 15.32 EUR |
| 250+ | 15.02 EUR |
| IPDQ60R022S7XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.58 EUR |
| 10+ | 19.28 EUR |
| 50+ | 15.78 EUR |