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IPDQ60R037CM8XTMA1

IPDQ60R037CM8XTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPDQ60R037CM8_DataSheet_v02_01_EN-3445895.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
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Technische Details IPDQ60R037CM8XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDQ60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 65 A, 0.037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPDQ60R037CM8XTMA1 IPDQ60R037CM8XTMA1 Hersteller : INFINEON 4379496.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 65 A, 0.037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPDQ60R037CM8XTMA1 IPDQ60R037CM8XTMA1 Hersteller : INFINEON 4379496.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 65 A, 0.037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPDQ60R037CM8XTMA1 IPDQ60R037CM8XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipdq60r037cm8-datasheet-v02_01-en.pdf MOSFET Power Transistor
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