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IPDQ60T017S7XTMA1

IPDQ60T017S7XTMA1 Infineon Technologies

IPDQ60T017S7.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.88mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
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Technische Details IPDQ60T017S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 500W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.

Weitere Produktangebote IPDQ60T017S7XTMA1 nach Preis ab 18.02 EUR bis 26.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPDQ60T017S7XTMA1 IPDQ60T017S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_DS_IPDQ60T017S7_2_0.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
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250+19.25 EUR
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IPDQ60T017S7XTMA1 IPDQ60T017S7XTMA1 INFINEON 4163373.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPDQ60T017S7XTMA1 IPDQ60T017S7XTMA1 INFINEON 4163373.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
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Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 12V
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HDSOP
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Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
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