IPDQ60T017S7XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.88mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 22.93 EUR |
| 10+ | 18.07 EUR |
| 25+ | 16.86 EUR |
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Technische Details IPDQ60T017S7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPDQ60T017S7XTMA1 nach Preis ab 18.02 EUR bis 26.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPDQ60T017S7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 129-133 Tag (e) |
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IPDQ60T017S7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ60T017S7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ60T017S7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.88mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V |
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