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IPDQ60T022S7XTMA1

IPDQ60T022S7XTMA1 Infineon Technologies

IPDQ60T022S7.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
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Technische Details IPDQ60T022S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 416W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPDQ60T022S7XTMA1 IPDQ60T022S7XTMA1 INFINEON 4159462.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPDQ60T022S7XTMA1 IPDQ60T022S7XTMA1 INFINEON 4159462.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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IPDQ60T022S7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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