IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 25.41 EUR |
| 10+ | 20.15 EUR |
| 25+ | 18.84 EUR |
| 100+ | 17.39 EUR |
| 250+ | 16.70 EUR |
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Technische Details IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 694W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPDQ65R017CFD7AXTMA1 nach Preis ab 21.49 EUR bis 32.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPDQ65R017CFD7AXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 694W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ65R017CFD7AXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 694W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDQ65R017CFD7AXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 150-154 Tag (e) |
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| IPDQ65R017CFD7AXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
AUTOMOTIVE_COOLMOS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPDQ65R017CFD7AXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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