IPDQ65R029CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.49 EUR |
| 10+ | 16.83 EUR |
| 25+ | 15.66 EUR |
| 100+ | 14.39 EUR |
| 250+ | 14.26 EUR |
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Technische Details IPDQ65R029CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ65R029CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 85 A, 0.024 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 463W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Weitere Produktangebote IPDQ65R029CFD7XTMA1 nach Preis ab 13.23 EUR bis 27.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPDQ65R029CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPDQ65R029CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R029CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 85 A, 0.024 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 463W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ65R029CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R029CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 85 A, 0.024 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 463W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
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| IPDQ65R029CFD7XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 24.63 EUR |
| 10+ | 14.01 EUR |
| 100+ | 13.99 EUR |
| 500+ | 13.23 EUR |
| IPDQ65R029CFD7XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R029CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 85 A, 0.024 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 463W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: INFINEON - IPDQ65R029CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 85 A, 0.024 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 463W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 27.42 EUR |
| 11+ | 21.79 EUR |
| 13+ | 16.73 EUR |
| 50+ | 14.33 EUR |
| 100+ | 14.3 EUR |
| 250+ | 14.03 EUR |
| IPDQ65R029CFD7XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R029CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 85 A, 0.024 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: INFINEON - IPDQ65R029CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 85 A, 0.024 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
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Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 27.42 EUR |
| 11+ | 21.79 EUR |
| 13+ | 16.73 EUR |
| 50+ | 14.33 EUR |
| 100+ | 14.3 EUR |
| 250+ | 14.03 EUR |



