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IPDQ65R080CFD7AXTMA1

IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies

infineonipdq65r080cfd7adatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 223W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies infineonipdq65r080cfd7adatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 660 Stücke:
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30+5.91 EUR
32+5.31 EUR
34+4.99 EUR
100+4.86 EUR
250+4.76 EUR
500+4.65 EUR
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IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies infineonipdq65r080cfd7adatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.91 EUR
32+5.19 EUR
34+4.81 EUR
100+4.59 EUR
250+4.39 EUR
500+4.18 EUR
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IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R080CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8925fc33b4 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.83 EUR
10+8.29 EUR
25+7.66 EUR
100+6.96 EUR
250+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ65R080CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8925fc33b4 Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 223W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.7 EUR
26+9.14 EUR
100+6.77 EUR
500+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 INFINEON 4013782.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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16+15.77 EUR
24+9.72 EUR
100+7.26 EUR
500+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R080CFD7A_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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1+9.78 EUR
10+6.89 EUR
100+5.99 EUR
500+5.68 EUR
750+5.59 EUR
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Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
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32+5.31 EUR
34+4.99 EUR
100+4.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
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32+5.19 EUR
34+4.81 EUR
100+4.59 EUR
250+4.39 EUR
500+4.18 EUR
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IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 343 Stücke:
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IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R080CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8925fc33b4
IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 223W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.7 EUR
26+9.14 EUR
100+6.77 EUR
500+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.77 EUR
24+9.72 EUR
100+7.26 EUR
500+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon_IPDQ65R080CFD7A_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 61 Stücke:
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10+6.89 EUR
100+5.99 EUR
500+5.68 EUR
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