IPDQ65R080CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
| Anzahl | Preis |
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| 750+ | 4.35 EUR |
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Technische Details IPDQ65R080CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.068 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPDQ65R080CFD7XTMA1 nach Preis ab 3.91 EUR bis 10.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IPDQ65R080CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R |
auf Bestellung 3604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ65R080CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPDQ65R080CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPDQ65R080CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.068 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ65R080CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ65R080CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ65R080CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.068 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ65R080CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R |
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