IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 2.37 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 302A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPF009N04NF2SATMA1 nach Preis ab 1.71 EUR bis 6.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPF009N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPF009N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPF009N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPF009N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
auf Bestellung 829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPF009N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPF009N04NF2SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 302A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IPF009N04NF2SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 302A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IPF009N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IPF009N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IPF009N04NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |