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IPF009N04NF2SATMA1

IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipf009n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 302A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm.

Weitere Produktangebote IPF009N04NF2SATMA1 nach Preis ab 2.03 EUR bis 9.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF009N04NF2SATMA1 IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf009n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPF009N04NF2SATMA1 IPF009N04NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPF009N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12d0af6afd Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
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100+3.69 EUR
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
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auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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53+3.31 EUR
56+3.08 EUR
57+2.96 EUR
100+2.74 EUR
250+2.64 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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53+3.31 EUR
56+3.01 EUR
57+2.86 EUR
100+2.59 EUR
250+2.44 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
auf Bestellung 406 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
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250+4.58 EUR
500+4.44 EUR
800+3.58 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.27 EUR
10+5.12 EUR
100+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF009N04NF2SATMA1 Infineon-IPF009N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12d0af6afd
IPF009N04NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.54 EUR
44+5.36 EUR
100+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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