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IPF010N04NF2SATMA1

IPF010N04NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IPF010N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083489.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
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Technische Details IPF010N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 289A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Hersteller : INFINEON 3920483.pdf Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
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Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Hersteller : INFINEON 3920483.pdf Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
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Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipf010n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPF010N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12dc096b00 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
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IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPF010N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12dc096b00 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
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