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IPF010N06NF2SATMA1

IPF010N06NF2SATMA1 INFINEON

3920484.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IPF010N06NF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 293A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF010N06NF2SATMA1 IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf010n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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800+3.45 EUR
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IPF010N06NF2SATMA1 IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf010n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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800+3.59 EUR
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IPF010N06NF2SATMA1 IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf010n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPF010N06NF2SATMA1 IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf010n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.82 EUR
49+3.43 EUR
100+3.17 EUR
250+3.05 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IPF010N06NF2SATMA1 IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf010n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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49+3.3 EUR
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IPF010N06NF2SATMA1 IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPF010N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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10+3.62 EUR
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IPF010N06NF2SATMA1 IPF010N06NF2SATMA1 INFINEON 3920484.pdf Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
68+3.46 EUR
100+3.11 EUR
500+3.06 EUR
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IPF010N06NF2SATMA1 IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf010n06nf2s-datasheet-en.pdf Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 370 Stücke:
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3+9.23 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.82 EUR
49+3.43 EUR
100+3.17 EUR
250+3.05 EUR
500+2.62 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.34 EUR
68+3.46 EUR
100+3.11 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.23 EUR
10+6.14 EUR
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