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IPF012N06NF2SATMA1

IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipf012n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 282A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF012N06NF2SATMA1 IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf012n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPF012N06NF2SATMA1 IPF012N06NF2SATMA1 INFINEON 3920485.pdf Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPF012N06NF2SATMA1 IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPF012N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
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IPF012N06NF2SATMA1 IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF012N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67d7463b33 Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
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IPF012N06NF2SATMA1 IPF012N06NF2SATMA1 INFINEON 3920485.pdf Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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55+3.14 EUR
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500+2.11 EUR
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55+3.07 EUR
56+2.89 EUR
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Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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100+2.83 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 221 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
28+8.95 EUR
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