IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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Technische Details IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IPF012N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 800+ 2.43 EUR Mindestbestellmenge: 800 kaufen
	IPF012N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 51+ 3.12 EUR 55+  2.76 EUR 56+  2.6 EUR 100+  2.3 EUR 250+  2.14 EUR 500+  1.7 EUR Mindestbestellmenge: 51 kaufen
	IPF012N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 51+ 3.12 EUR 55+  2.76 EUR 56+  2.6 EUR 100+  2.3 EUR 250+  2.14 EUR 500+  1.7 EUR Mindestbestellmenge: 51 kaufen
	IPF012N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH 40<-<100V	auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 5.17 EUR 10+  4.35 EUR 25+  4.1 EUR 100+  3.52 EUR 250+  3.33 EUR 500+  3.13 EUR 800+  2.68 EUR kaufen
	IPF012N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V	auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 4+ 5.21 EUR 10+  4.37 EUR 100+  3.53 EUR Mindestbestellmenge: 4 kaufen
	IPF012N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IPF012N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IPF012N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen