IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 1100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 282A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.
Weitere Produktangebote IPF012N06NF2SATMA1 nach Preis ab 1.93 EUR bis 11.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPF012N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPF012N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPF012N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPF012N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPF012N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPF012N06NF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 2.77 EUR |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 3.55 EUR |
| 55+ | 3.21 EUR |
| 56+ | 3.07 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 250+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.15 EUR |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 3.55 EUR |
| 55+ | 3.14 EUR |
| 56+ | 2.95 EUR |
| 100+ | 2.62 EUR |
| 250+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 1.93 EUR |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.16 EUR |
| 10+ | 5.37 EUR |
| 100+ | 3.78 EUR |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.65 EUR |
| 10+ | 5.89 EUR |
| 100+ | 4.96 EUR |
| 500+ | 4.93 EUR |