Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPF013N04NF2SATMA1
IPF013N04NF2SATMA1

IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03 Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R.

Weitere Produktangebote IPF013N04NF2SATMA1 nach Preis ab 1.95 EUR bis 4.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPF013N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083351.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.33 EUR
10+ 3.63 EUR
100+ 2.89 EUR
250+ 2.66 EUR
500+ 2.41 EUR
800+ 2.04 EUR
2400+ 1.95 EUR
IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+4.36 EUR
10+ 3.63 EUR
100+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipf013n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar