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IPF013N04NF2SATMA1

IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
FET Type: N-Channel
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Technische Details IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 232A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 INFINEON 3920486.pdf Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
101+2.14 EUR
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IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
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IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 INFINEON 3920486.pdf Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
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Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
89+2.62 EUR
101+2.14 EUR
500+1.86 EUR
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IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03 Description: TRENCH <= 40V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
auf Bestellung 800 Stücke:
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IPF013N04NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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101+2.14 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPF013N04NF2SATMA1 Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPF013N04NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.09 EUR
10+3.5 EUR
100+2.09 EUR
500+2 EUR
800+1.95 EUR
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IPF013N04NF2SATMA1 3920486.pdf
IPF013N04NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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46+5.45 EUR
89+2.62 EUR
101+2.14 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IPF013N04NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.51 EUR
10+3.72 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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