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IPF014N08NF2SATMA1

IPF014N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPF014N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f02fcd184682
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPF014N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 282A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPF014N08NF2SATMA1 nach Preis ab 4.44 EUR bis 12.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF014N08NF2SATMA1 IPF014N08NF2SATMA1 INFINEON 3812010.pdf Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPF014N08NF2SATMA1 IPF014N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPF014N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
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10+7.02 EUR
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IPF014N08NF2SATMA1 IPF014N08NF2SATMA1 INFINEON 3812010.pdf Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12 EUR
33+7.06 EUR
100+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.67 EUR
10+8.51 EUR
100+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPF014N08NF2SATMA1 3812010.pdf
IPF014N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 3466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.01 EUR
10+7.02 EUR
100+5.02 EUR
500+4.77 EUR
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IPF014N08NF2SATMA1 3812010.pdf
IPF014N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12 EUR
33+7.06 EUR
100+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF014N08NF2SATMA1 Infineon-IPF014N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f02fcd184682
IPF014N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.67 EUR
10+8.51 EUR
100+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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