IPF014N08NF2SATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 3.49 EUR |
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Technische Details IPF014N08NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 282A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPF014N08NF2SATMA1 nach Preis ab 3.73 EUR bis 8.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IPF014N08NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-14 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V |
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IPF014N08NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
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IPF014N08NF2SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 282A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPF014N08NF2SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 282A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPF014N08NF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |