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IPF018N10NM5LF2ATMA1

IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_DS_IPF018N10NM5LF2_1_0.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V
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Technische Details IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 259A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Weitere Produktangebote IPF018N10NM5LF2ATMA1 nach Preis ab 5.59 EUR bis 14.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF018N10NM5LF2ATMA1 IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17 Description: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 259A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
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IPF018N10NM5LF2ATMA1 IPF018N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17 Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 611 Stücke:
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17+14.88 EUR
29+8.23 EUR
100+6.19 EUR
500+5.81 EUR
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IPF018N10NM5LF2ATMA1 IPF018N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17 Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 611 Stücke:
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IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17
IPF018N10NM5LF2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 259A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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IPF018N10NM5LF2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
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IPF018N10NM5LF2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
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