Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPF021N13NM6ATMA1
IPF021N13NM6ATMA1

IPF021N13NM6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_03-12-2024_IPF021N13NM6_Rev2.0.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 1826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.23 EUR
10+7.43 EUR
100+5.83 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.28 EUR
2000+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPF021N13NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPF021N13NM6ATMA1 nach Preis ab 5.88 EUR bis 10.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPF021N13NM6ATMA1 IPF021N13NM6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPF021N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.35 EUR
10+7.51 EUR
100+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF021N13NM6ATMA1 IPF021N13NM6ATMA1 Hersteller : INFINEON 4334665.pdf Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF021N13NM6ATMA1 IPF021N13NM6ATMA1 Hersteller : INFINEON 4334665.pdf Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF021N13NM6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPF021N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF021N13NM6ATMA1 IPF021N13NM6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPF021N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH