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IPF026N15NM6ATMA1

IPF026N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
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Technische Details IPF026N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 239A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 395W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF026N15NM6ATMA1 IPF026N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf026n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Power MOSFET
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
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IPF026N15NM6ATMA1 IPF026N15NM6ATMA1 INFINEON 4406511.pdf Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-263
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Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
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Power MOSFET
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
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Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
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