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IPF129N20NM6ATMA1

IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipf129n20nm6datasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 234W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF129N20NM6ATMA1 IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipf129n20nm6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPF129N20NM6ATMA1 IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipf129n20nm6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPF129N20NM6ATMA1 IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPF129N20NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >150 - 400V
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IPF129N20NM6ATMA1 IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF129N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d326b6ae00c86 Description: IPF129N20NM6ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
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IPF129N20NM6ATMA1 IPF129N20NM6ATMA1 INFINEON 4163370.pdf Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
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17+14.79 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 87A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
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IPF129N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPF129N20NM6ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung: 234W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
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Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
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AnzahlPrivatkunde
17+14.79 EUR
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