Weitere Produktangebote IPG16N10S461ATMA1 nach Preis ab 0.82 EUR bis 2.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPG16N10S461ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFET |
auf Bestellung 17995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPG16N10S461ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPG16N10S461ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG16N10S461ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm |
auf Bestellung 4579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPG16N10S461ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 7, Rds = 61 @ 16 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 29, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: 32 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 6 Stücke: |
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IPG16N10S461ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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