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IPG16N10S461ATMA1

Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604
Produktcode: 155670
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPG16N10S4_61_DataSheet_v01_20_EN-3362532.pdf MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 17995 Stücke:
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10+1.44 EUR
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2500+0.99 EUR
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IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies ipg16n10s4-61_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.81 EUR
101+1.71 EUR
126+1.34 EUR
250+1.19 EUR
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1000+0.81 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies ipg16n10s4-61_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3875 Stücke:
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87+2.02 EUR
97+1.75 EUR
101+1.62 EUR
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250+1.08 EUR
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IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 INFINEON 2354668.pdf Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 740 Stücke:
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121+2.08 EUR
128+1.82 EUR
169+1.27 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 INFINEON Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 4579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
122+1.92 EUR
169+1.27 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 989 Stücke:
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7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S4-61.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 7, Rds = 61 @ 16 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 29, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Очікується: 32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IPG16N10S461ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 17995 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.45 EUR
10+1.44 EUR
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500+1.09 EUR
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IPG16N10S461ATMA1 ipg16n10s4-61_ds_1_0.pdf
IPG16N10S461ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
97+1.81 EUR
101+1.71 EUR
126+1.34 EUR
250+1.19 EUR
500+1.07 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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97+1.75 EUR
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126+1.24 EUR
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IPG16N10S461ATMA1 2354668.pdf
IPG16N10S461ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPG16N10S461ATMA1 Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604
IPG16N10S461ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 4579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+2.65 EUR
122+1.92 EUR
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1000+0.94 EUR
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IPG16N10S461ATMA1 Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604
IPG16N10S461ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 989 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
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500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S4-61.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 7, Rds = 61 @ 16 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 29, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Очікується: 32 Од. вим: шт
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