IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
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Technische Details IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Bauform - Transistor: TDSON, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, Dauer-Drainstrom Id: 20A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 65W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPG20N04S408ATMA1 nach Preis ab 1.19 EUR bis 2.66 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IPG20N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active |
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IPG20N04S408ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: OptiMOS T2 Series Bauform - Transistor: TDSON Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds: 40V Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm Dauer-Drainstrom Id: 20A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 65W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPG20N04S408ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG20N04S408ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPG20N04S408ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Power dissipation: 65W Gate charge: 28nC Drain-source voltage: 40V Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 7.6mΩ Drain current: 20A Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPG20N04S408ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Power dissipation: 65W Gate charge: 28nC Drain-source voltage: 40V Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 7.6mΩ Drain current: 20A Polarisation: unipolar |
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