IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W, Mounting: SMD, Case: PG-TDSON-8, Polarisation: unipolar, Gate charge: 21.7nC, Technology: OptiMOS™ T2, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 20A, On-state resistance: 8.6mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 54W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IPG20N04S409ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 460000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG20N04S409ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Gate charge: 21.7nC Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 54W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPG20N04S409ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
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IPG20N04S409ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
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IPG20N04S409ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
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IPG20N04S409ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Gate charge: 21.7nC Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 54W |
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