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IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPG20N04S409ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 148029-4
Price: 5.32 EUR
Availability: InStock

Infineon-IPG20N04S4_09-DS-v01_00-en-1731800.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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Technische Details IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPG20N04S409ATMA1

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IPG20N04S409ATMA1	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPG20N04S409ATMA1	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPG20N04S409ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPG20N04S409ATMA1	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 21.7nC Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPG20N04S409ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPG20N04S409ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPG20N04S409ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPG20N04S409ATMA1	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 21.7nC Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH