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IPG20N04S4L11AATMA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4L-11A-DataSheet-v01_10-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IPG20N04S4L11AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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