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IPG20N04S4L11AATMA1

IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5
Produktcode: 158575
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON INFNS15597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
137+1.57 EUR
500+1.25 EUR
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IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4L-11A-DataSheet-v01_10-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.23 EUR
100+1.42 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.98 EUR
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3654 Stücke:
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58+4.38 EUR
91+2.57 EUR
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IPG20N04S4L11AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
137+1.57 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IPG20N04S4L11AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
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Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: Infineon
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