Weitere Produktangebote IPG20N04S4L11AATMA1 nach Preis ab 0.76 EUR bis 2.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPG20N04S4L11AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPG20N04S4L11AATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG20N04S4L11AATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPG20N04S4L11AATMA1 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPG20N04S4L11AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPG20N04S4L11AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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