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IPG20N06S2L50AATMA1

IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPG20N06S2L_50A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4552ed7b51ae
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 51W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote IPG20N06S2L50AATMA1 nach Preis ab 0.98 EUR bis 3.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPG20N06S2L50AATMA1 IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies infineon_ipg20n06s2l_50a_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8
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