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IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies

IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.05 EUR
10000+0.99 EUR
15000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 50W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S4L_14A_DS_1_0.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+2.26 EUR
100+1.67 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.25 EUR
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 INFINEON IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 17999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
105+2.21 EUR
135+1.59 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.12 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 17999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
105+2.21 EUR
135+1.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
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FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 28282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
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auf Bestellung 401 Stücke:
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88+1.9 EUR
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MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
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100+1.67 EUR
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1000+1.27 EUR
2500+1.25 EUR
5000+1.2 EUR
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IPG20N06S4L14AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
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Verlustleistung, p-Kanal: 50W
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Produktpalette: OptiMOS T2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 17999 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+3.34 EUR
105+2.21 EUR
135+1.59 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.12 EUR
5000+1.09 EUR
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IPG20N06S4L14AATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 28282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.97 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097
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Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
73+2.39 EUR
88+1.9 EUR
89+1.82 EUR
90+1.74 EUR
116+1.29 EUR
250+0.87 EUR
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