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IPG20N06S4L26ATMA1

IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPG20N06S4L_26-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf68dd216c28&ack=t
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPG20N06S4L26ATMA1 nach Preis ab 0.9 EUR bis 3.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPG20N06S4L26ATMA1 IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON INFNS15601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
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Verlustleistung, p-Kanal: 33W
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euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
170+1.37 EUR
250+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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IPG20N06S4L26ATMA1 IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON INFNS15601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
170+1.37 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
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Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 9501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
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IPG20N06S4L26ATMA1 IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPG20N06S4L_26_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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IPG20N06S4L26ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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114+2.2 EUR
170+1.37 EUR
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IPG20N06S4L26ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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170+1.37 EUR
250+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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100+1.33 EUR
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IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon-IPG20N06S4L_26-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf68dd216c28&ack=t
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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