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IPG20N10S436AATMA1

IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies

PdfFile_211447.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1 EUR
10000+0.94 EUR
15000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 43W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 43W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IPG20N10S436AATMA1 nach Preis ab 1.07 EUR bis 4.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 INFINEON 2849763.pdf Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 INFINEON 2849763.pdf Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
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Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
93+2.51 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies PdfFile_211447.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 55536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.42 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N10S4-36A-DataSheet-v01_21-EN.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100+
auf Bestellung 6478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.67 EUR
100+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1 2849763.pdf
IPG20N10S436AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPG20N10S436AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+3.34 EUR
93+2.51 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPG20N10S436AATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 55536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.77 EUR
10+2.42 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPG20N10S436AATMA1 Infineon-IPG20N10S4-36A-DataSheet-v01_21-EN.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 100+
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.19 EUR
10+2.67 EUR
100+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.13 EUR
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