IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 35000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 5000+ | 1.06 EUR |
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Technische Details IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 43W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 43W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPG20N10S436AATMA1 nach Preis ab 1.12 EUR bis 3.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IPG20N10S436AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 37720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPG20N10S436AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-CHANNEL 100+ |
auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPG20N10S436AATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG20N10S436AATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG20N10S436AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
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IPG20N10S436AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
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IPG20N10S436AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
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