IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 0.78 EUR |
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Technische Details IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 43W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 43W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPG20N10S4L35ATMA1 nach Preis ab 0.91 EUR bis 3.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET |
auf Bestellung 28070 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 34558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPG20N10S4L35ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 43W Case: PG-TDSON-8-4 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T2 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPG20N10S4L35ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 43W Case: PG-TDSON-8-4 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T2 |
Produkt ist nicht verfügbar |